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RV4E031RPHZGTCR1

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RV4E031RPHZGTCR1

MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W

non conforme

RV4E031RPHZGTCR1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.87000 $0.87
500 $0.8613 $430.65
1000 $0.8526 $852.6
1500 $0.8439 $1265.85
2000 $0.8352 $1670.4
2500 $0.8265 $2066.25
2960 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.1A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs 105mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 4.8 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 460 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount, Wettable Flank
package d'appareils du fournisseur DFN1616-6W
paquet / étui 6-PowerWFDFN
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Numéro de pièce associé

DMN6075S-7
DMN6075S-7
$0 $/morceau
HUFA75332S3ST
FDS8842NZ
FDS8842NZ
$0 $/morceau
FCH070N60E
FCH070N60E
$0 $/morceau
BUK9Y22-30B,115
IPI110N20N3GAKSA1
IXTQ480P2
IXTQ480P2
$0 $/morceau
FQPF8N90C
NTD25P03LT4G
NTD25P03LT4G
$0 $/morceau
IRL60S216
IRL60S216
$0 $/morceau

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