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RYC002N05T316

RYC002N05T316

RYC002N05T316

MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3

compliant

RYC002N05T316 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.07800 -
6,000 $0.07020 -
15,000 $0.06240 -
30,000 $0.05850 -
75,000 $0.05460 -
21000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 50 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 200mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max) à id 800mV @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 26 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 350mW (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SST3
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

NVMYS014N06CLTWG
NVMYS014N06CLTWG
$0 $/morceau
FQAF27N25
AON7410
NVMFS5C646NLWFAFT1G
NVMFS5C646NLWFAFT1G
$0 $/morceau
IPB044N15N5ATMA1
FDMC86340ET80
FDMC86340ET80
$0 $/morceau
BSZ063N04LS6ATMA1
FCB110N65F
FCB110N65F
$0 $/morceau
NVMFS4C05NT3G
NVMFS4C05NT3G
$0 $/morceau
R6011END3TL1
R6011END3TL1
$0 $/morceau

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