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SCT2160KEHRC11

SCT2160KEHRC11

SCT2160KEHRC11

1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE

compliant

SCT2160KEHRC11 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $22.76000 $22.76
500 $22.5324 $11266.2
1000 $22.3048 $22304.8
1500 $22.0772 $33115.8
2000 $21.8496 $43699.2
2500 $21.622 $54055
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (vdss) 1200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 22A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 18V
rds activé (max) à id, vgs 208mOhm @ 7A, 18V
vgs(th) (max) à id 4V @ 2.5mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 62 nC @ 18 V
vgs (max) +22V, -6V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1200 pF @ 800 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 165W (Tc)
température de fonctionnement 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247N
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

4AM14
BUK9Y22-60ELX
BUK9Y22-60ELX
$0 $/morceau
DMT3020LFCL-7
2SK2933-E
2SK2933-E
$0 $/morceau
2SJ328-Z-E1-AZ
2SJ328-Z-E1-AZ
$0 $/morceau
IPD90P04P405AUMA1
G3R60MT07J
IPT063N15N5ATMA1
2SJ604-Z-AZ
2SJ604-Z-AZ
$0 $/morceau

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