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SCT3060AW7TL

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SCT3060AW7TL

SICFET N-CH 650V 38A TO263-7

compliant

SCT3060AW7TL Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $19.87000 $19.87
500 $19.6713 $9835.65
1000 $19.4726 $19472.6
1500 $19.2739 $28910.85
2000 $19.0752 $38150.4
2500 $18.8765 $47191.25
1481 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 38A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs 78mOhm @ 13A, 18V
vgs(th) (max) à id 5.6V @ 6.67mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 18 V
vgs (max) +22V, -4V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 852 pF @ 500 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 159W
température de fonctionnement 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263-7
paquet / étui TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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Numéro de pièce associé

DMN30H4D1S-13
AOK9N90
AON7568
IXFH20N50P3
IXFH20N50P3
$0 $/morceau
STP85NF55
STP85NF55
$0 $/morceau
STB33N60M2
STB33N60M2
$0 $/morceau
FQPF5N30
APT34F60S
APT34F60S
$0 $/morceau
IPW50R250CPFKSA1

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