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SH8J66TB1

SH8J66TB1

SH8J66TB1

MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8

SH8J66TB1 Fiche de données

compliant

SH8J66TB1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $1.00142 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9A
rds activé (max) à id, vgs 18.5mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 35nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3000pF @ 10V
puissance - max 2W
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOP
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Numéro de pièce associé

SI1902CDL-T1-GE3
BUK9K29-100E,115
IRF7304TRPBF
PMDPB30XNZ
PMDPB30XNZ
$0 $/morceau
BSM300D12P2E001
SI7942DP-T1-GE3
DMTH4007SPD-13
IRFN214BTA

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