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SH8M4TB1

SH8M4TB1

SH8M4TB1

MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

SH8M4TB1 Fiche de données

compliant

SH8M4TB1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.75740 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9A, 7A
rds activé (max) à id, vgs 18mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 15nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1190pF @ 10V
puissance - max 2W
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOP
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Numéro de pièce associé

MMDF2P02HDR2
MMDF2P02HDR2
$0 $/morceau
BSO612CV
BSO612CV
$0 $/morceau
SI5920DC-T1-E3
SI5920DC-T1-E3
$0 $/morceau
AON6938
IRFH4255DTRPBF
IRF8910GTRPBF
AON6918
BSO200N03
BSO200N03
$0 $/morceau

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