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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | N and P-Channel |
fonctionnalité FET | Standard |
Tension drain-source (vdss) | 100V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 3A (Ta), 2.5A (Ta) |
rds activé (max) à id, vgs | 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V |
vgs(th) (max) à id | 2.5V @ 1mA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 610pF @ 25V, 1550pF @ 25V |
puissance - max | 2W (Ta) |
température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
type de montage | Surface Mount |
paquet / étui | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
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