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VT6M1T2CR

VT6M1T2CR

VT6M1T2CR

MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

VT6M1T2CR Fiche de données

compliant

VT6M1T2CR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.05580 -
16,000 $0.04960 -
24,000 $0.04650 -
56,000 $0.04340 -
70277 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate, 1.2V Drive
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 100mA
rds activé (max) à id, vgs 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 100µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 7.1pF @ 10V
puissance - max 120mW
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-SMD, Flat Leads
package d'appareils du fournisseur VMT6
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Numéro de pièce associé

BUK9K5R1-30EX
BUK9K5R1-30EX
$0 $/morceau
QH8KC5TCR
QH8KC5TCR
$0 $/morceau
DMP2110UVT-13
IRF9956TRPBF
SPA15N65C3
2SJ172-E
IRF7316GTRPBF
AO8810
AO4807

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