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S4D02120E

S4D02120E

S4D02120E

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

S4D02120E Fiche de données

compliant

S4D02120E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.87000 $1.87
500 $1.8513 $925.65
1000 $1.8326 $1832.6
1500 $1.8139 $2720.85
2000 $1.7952 $3590.4
2500 $1.7765 $4441.25
8 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) 2A
tension - directe (vf) (max) @ if 1.8 V @ 2 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 10 µA @ 1200 V
capacité à vr, f 116pF @ 0V, 1MHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
package d'appareils du fournisseur DPAK
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
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Numéro de pièce associé

M1MA174T1G
M1MA174T1G
$0 $/morceau
SBR160S23-7
SBR160S23-7
$0 $/morceau
SS1040HE_R1_00001
NTS10100EMFST3G
NTS10100EMFST3G
$0 $/morceau
DST8100S-A
DST8100S-A
$0 $/morceau
STPS30SM60SG-TR
FR1GAFC_R1_00001
P3D06006I2
SKN240/12
SKN240/12
$0 $/morceau

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