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S4D08120E

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DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

S4D08120E Fiche de données

compliant

S4D08120E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.20000 $4.2
500 $4.158 $2079
1000 $4.116 $4116
1500 $4.074 $6111
2000 $4.032 $8064
2500 $3.99 $9975
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) 8A
tension - directe (vf) (max) @ if 1.8 V @ 8 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 15 µA @ 1200 V
capacité à vr, f 560pF @ 0V, 1MHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
package d'appareils du fournisseur DPAK
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
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Numéro de pièce associé

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