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S4D10120E

S4D10120E

S4D10120E

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

S4D10120E Fiche de données

compliant

S4D10120E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $6.49000 $6.49
500 $6.4251 $3212.55
1000 $6.3602 $6360.2
1500 $6.2953 $9442.95
2000 $6.2304 $12460.8
2500 $6.1655 $15413.75
373 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) 10A
tension - directe (vf) (max) @ if 1.8 V @ 10 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 30 µA @ 1200 V
capacité à vr, f 772pF @ 0V, 1MHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
package d'appareils du fournisseur DPAK
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
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Numéro de pièce associé

BYQ28E-200/H127
BYQ28E-200/H127
$0 $/morceau
CDBA5200-G
CDBA5200-G
$0 $/morceau
MMSD4148T3G
MMSD4148T3G
$0 $/morceau
SDUR60Q60W
SDUR60Q60W
$0 $/morceau
SB01-15C-TB-E
SB01-15C-TB-E
$0 $/morceau
DSEI19-06AS-TUB
DSEI19-06AS-TUB
$0 $/morceau
SBR10B45P5-7
IDDD16G65C6XTMA1
MBR2150_R2_00001

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