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S4D20120A

S4D20120A

S4D20120A

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

S4D20120A Fiche de données

compliant

S4D20120A Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $10.70000 $10.7
500 $10.593 $5296.5
1000 $10.486 $10486
1500 $10.379 $15568.5
2000 $10.272 $20544
2500 $10.165 $25412.5
90 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) 20A
tension - directe (vf) (max) @ if 1.8 V @ 20 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 40 µA @ 1200 V
capacité à vr, f 721pF @ 0V, 1MHz
type de montage Through Hole
paquet / étui TO-220-2
package d'appareils du fournisseur TO-220AC (TO-220-2)
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
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Numéro de pièce associé

JANTX1N6638US
ZHCS350QTA
ZHCS350QTA
$0 $/morceau
UJ3D1220KSD
UJ3D1220KSD
$0 $/morceau
FS1B-LTP
FS1B-LTP
$0 $/morceau
JAN1N6628US/TR
R7201206XXOO
R7201206XXOO
$0 $/morceau
GKN130/14
GKN130/14
$0 $/morceau
R2150
R2150
$0 $/morceau
KCF16A20
KCF16A20
$0 $/morceau

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