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S4D20120GTR

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DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

compliant

S4D20120GTR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $6.83000 $6.83
500 $6.7617 $3380.85
1000 $6.6934 $6693.4
1500 $6.6251 $9937.65
2000 $6.5568 $13113.6
2500 $6.4885 $16221.25
800 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) 20A
tension - directe (vf) (max) @ if 1.8 V @ 20 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 200 µA @ 1200 V
capacité à vr, f 721pF @ 0V, 1MHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
package d'appareils du fournisseur D2PAK
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C (TJ)
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Numéro de pièce associé

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