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2N5116

2N5116

2N5116

P-CHANNEL MOSFET TO-18

2N5116 Fiche de données

non conforme

2N5116 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $6.72000 $6.72
10 $6.00000 $60
100 $4.92000 $492
500 $3.98400 $1992
1,000 $3.36000 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
tension de claquage (v(br)gss) 30 V
Tension drain-source (vdss) 600 mV
courant - drain (idss) @ vds (vgs=0) -
consommation de courant (id) - max -
tension - coupure (vgs off) @ id -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 25pF @ 15V
résistance - rds(on) 150 Ohms
puissance - max 500 mW
température de fonctionnement -
type de montage Through Hole
paquet / étui TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
package d'appareils du fournisseur TO-18
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Numéro de pièce associé

MQ2N5114
MQ2N5114
$0 $/morceau
MMBF4093
MMBF4093
$0 $/morceau
2SK596S-C
2SK596S-C
$0 $/morceau
MMBFJ111
MMBFJ111
$0 $/morceau
2N4860A
2N4860A
$0 $/morceau

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