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STB32N65M5

STB32N65M5

STB32N65M5

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

compliant

STB32N65M5 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $5.14553 -
2,000 $4.95495 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 24A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 119mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3320 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 150W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D2PAK
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IPP80N08S2L07AKSA1
RD3L050SNTL1
RD3L050SNTL1
$0 $/morceau
IRFU420PBF
IRFU420PBF
$0 $/morceau
BSS139H6906XTSA1
HP4410DYT
AONS66402
IPP065N03LGXKSA1
IRF9Z30PBF
IRF9Z30PBF
$0 $/morceau
STD8NM50N
STD8NM50N
$0 $/morceau
IPD042P03L3GATMA1

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