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STD16N65M2

STD16N65M2

STD16N65M2

MOSFET N-CH 650V 11A DPAK

compliant

STD16N65M2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $1.34000 -
5,000 $1.29600 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 11A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 360mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 19.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 718 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 110W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur DPAK
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

IPL60R1K5C6SATMA1
NTMJS1D5N04CLTWG
NTMJS1D5N04CLTWG
$0 $/morceau
AOT380A60L
STP75NF75
STP75NF75
$0 $/morceau
IRF8707TRPBF
RD3S075CNTL1
RD3S075CNTL1
$0 $/morceau
IPS70R2K0CEE8211AKMA1
IRF5305STRLPBF
IRFW720BTM
IAUA250N04S6N008AUMA1

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