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STD3NK80Z-1

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MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK

compliant

STD3NK80Z-1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.77963 -
2665 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 50µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 485 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 70W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-251 (IPAK)
paquet / étui TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Numéro de pièce associé

FDC653N
FDC653N
$0 $/morceau
NVMFS5C628NLAFT3G
NVMFS5C628NLAFT3G
$0 $/morceau
IRFR540ZTRPBF
PSMN3R9-25MLC,115
DMT68M8LSS-13
FCB20N60F-F085
FCB20N60F-F085
$0 $/morceau
STB34N50DM2AG
IRFU014PBF
IRFU014PBF
$0 $/morceau
AON6298
SPW24N60CFDFKSA1

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