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STD7N60DM2

STD7N60DM2

STD7N60DM2

MOSFET N-CH 600V 6A DPAK

compliant

STD7N60DM2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.76878 $0.76878
500 $0.7610922 $380.5461
1000 $0.7534044 $753.4044
1500 $0.7457166 $1118.5749
2000 $0.7380288 $1476.0576
2500 $0.730341 $1825.8525
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 900mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.75V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 7.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 324 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 60W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D-PAK (TO-252)
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

IXFX360N10T
IXFX360N10T
$0 $/morceau
R6007END3TL1
R6007END3TL1
$0 $/morceau
STL90N3LLH6
STL90N3LLH6
$0 $/morceau
APT10M25BVRG
IPS050N03LG
IRF730ASTRLPBF
IRF730ASTRLPBF
$0 $/morceau
SIHU6N80E-GE3
SIHU6N80E-GE3
$0 $/morceau
DMN2990UFA-7B
NTP067N65S3H
NTP067N65S3H
$0 $/morceau

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