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STL11N60M2-EP

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STL11N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV

compliant

STL11N60M2-EP Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.03850 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerFlat™ (5x6) HV
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

IRF5210SPBF
RTQ020N05TR
RTQ020N05TR
$0 $/morceau
SIS330DN-T1-GE3
FQPF3N30
FQPF3N30
$0 $/morceau
APT7F80K
APT7F80K
$0 $/morceau
IRFPS38N60LPBF
IRFPS38N60LPBF
$0 $/morceau
ZXMN3A02X8TA
STW6N120K3
STW6N120K3
$0 $/morceau
AOD403L
SI5402BDC-T1-GE3

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