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STL7N10F7

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MOSFET N-CH 100V POWERFLAT

STL7N10F7 Fiche de données

compliant

STL7N10F7 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.99830 -
6,000 $0.96552 -
2982 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7A (Tj)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 35mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 920 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.9W (Ta), 50W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerFlat™ (3.3x3.3)
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

IRF7401TRPBF
AO6409
SPD07N60S5AATMA1
FDS86240
FDS86240
$0 $/morceau
NTMFS5H419NLT1G
NTMFS5H419NLT1G
$0 $/morceau
SPP06N80C3XKSA1
IPB80N06S4L05ATMA2
STP26NM60N
STP26NM60N
$0 $/morceau

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