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STLD200N4F6AG

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STLD200N4F6AG

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

compliant

STLD200N4F6AG Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $1.44888 -
5,000 $1.40130 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 120A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 172 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 10700 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 158W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerFlat™ (5x6) Dual Side
paquet / étui 8-PowerWDFN
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Numéro de pièce associé

RSR015P06HZGTL
IRF7201TRPBF
STB180N55F3
STB180N55F3
$0 $/morceau
RQ3E120GNTB
RQ3E120GNTB
$0 $/morceau
IXFX80N50Q3
IXFX80N50Q3
$0 $/morceau
STU3N80K5
STU3N80K5
$0 $/morceau
STD5N20LT4
STD5N20LT4
$0 $/morceau
DMT10H010LCT

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