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STO65N60DM6

STO65N60DM6

STO65N60DM6

N-CHANNEL 600 V, 67 MOHM TYP., 4

compliant

STO65N60DM6 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $7.29000 $7.29
500 $7.2171 $3608.55
1000 $7.1442 $7144.2
1500 $7.0713 $10606.95
2000 $6.9984 $13996.8
2500 $6.9255 $17313.75
10 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 46A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 76mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.75V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 65.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2500 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 320W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TOLL (HV)
paquet / étui 8-PowerSFN
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Numéro de pièce associé

DMN2053UWQ-7
DMTH8008SFG-13
2SK3793-AZ
IRF120
IRF120
$0 $/morceau
NTPF360N65S3H
NTPF360N65S3H
$0 $/morceau
IPW65R125CFD7XKSA1

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