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STP12N60M2

STP12N60M2

STP12N60M2

MOSFET N-CH 600V 9A TO220

compliant

STP12N60M2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.86000 $1.86
50 $1.49880 $74.94
100 $1.34890 $134.89
500 $1.04912 $524.56
1,000 $0.86928 -
2,500 $0.80932 -
5,000 $0.77935 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 450mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 538 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 85W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

RSJ400N06FRATL
IXFP12N50P
IXFP12N50P
$0 $/morceau
IPP120N04S402AKSA1
AOD2N100
STW12NK80Z
STW12NK80Z
$0 $/morceau
PHT4NQ10T,135
PHT4NQ10T,135
$0 $/morceau
RM50N60IP
RM50N60IP
$0 $/morceau
DMN53D0LW-13
AOT2618L

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