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STP20N60M2-EP

STP20N60M2-EP

STP20N60M2-EP

MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220

non conforme

STP20N60M2-EP Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $1.18030 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 13A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 110W (Tc)
température de fonctionnement -
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

IRL40T209ATMA1
SI8472DB-T2-E1
SI8472DB-T2-E1
$0 $/morceau
AUIRF1404S
IXTH40N50L2
IXTH40N50L2
$0 $/morceau
STD13N60DM2
STD13N60DM2
$0 $/morceau
PMZB320UPE,315
P3M173K0T3
SIHB4N80E-GE3
SIHB4N80E-GE3
$0 $/morceau
APTM50UM09FAG

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