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STP35N60M2-EP

STP35N60M2-EP

STP35N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V TO220

non conforme

STP35N60M2-EP Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $2.54100 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 26A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

MCQ15N10YA-TP
FCP190N65S3
FCP190N65S3
$0 $/morceau
IPW50R399CPFKSA1
RQ5A040ZPTL
RQ5A040ZPTL
$0 $/morceau
FCPF150N65F
FCPF150N65F
$0 $/morceau
DMN3731U-13
DMN3731U-13
$0 $/morceau
BUK9M10-30EX
BUK9M10-30EX
$0 $/morceau
SPP02N60C3XKSA1
SIHB11N80E-GE3
SIHB11N80E-GE3
$0 $/morceau
IXFH12N120P
IXFH12N120P
$0 $/morceau

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