Welcome to ichome.com!

logo
Maison

STP6N65M2

STP6N65M2

STP6N65M2

MOSFET N-CH 650V 4A TO220

STP6N65M2 Fiche de données

compliant

STP6N65M2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.98000 $1.98
50 $1.62280 $81.14
100 $1.47110 $147.11
500 $1.16748 $583.74
1,000 $0.98532 -
2,500 $0.92460 -
5,000 $0.89424 -
957 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.35Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 9.8 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 226 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 60W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220
paquet / étui TO-220-3
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

IXTY2N100P
IXTY2N100P
$0 $/morceau
FDC5612
FDC5612
$0 $/morceau
NTP165N65S3H
NTP165N65S3H
$0 $/morceau
FDS7766
FDS7766
$0 $/morceau
FDPF8N50NZU
FDPF8N50NZU
$0 $/morceau
APT10050B2VFRG
NTMFS5C450NT1G
NTMFS5C450NT1G
$0 $/morceau
BSO203SPHXUMA1

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.