Welcome to ichome.com!

logo
Maison

STP9NK65Z

STP9NK65Z

STP9NK65Z

MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB

STP9NK65Z Fiche de données

compliant

STP9NK65Z Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $1.59181 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.4A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.2Ohm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 100µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1145 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 125W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220
paquet / étui TO-220-3
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

STF31N65M5
STF31N65M5
$0 $/morceau
IXTQ200N10T
IXTQ200N10T
$0 $/morceau
SQ3460EV-T1_GE3
SIHP35N60E-GE3
SIHP35N60E-GE3
$0 $/morceau
FCPF16N60NT
FCPF16N60NT
$0 $/morceau
PMX100UNZ
PMX100UNZ
$0 $/morceau
SQM40N15-38_GE3
SI4103DY-T1-GE3
SI7430DP-T1-E3
SI7430DP-T1-E3
$0 $/morceau

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.