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STU12N60M2

STU12N60M2

STU12N60M2

MOSFET N-CH 600V 9A IPAK

compliant

STU12N60M2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.89613 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 450mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 538 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 85W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-251 (IPAK)
paquet / étui TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Numéro de pièce associé

BSO201SPHXUMA1
C3M0065100J-TR
C3M0065100J-TR
$0 $/morceau
AO7407
IPD100N06S403ATMA2
NTD4810NHT4G
NTD4810NHT4G
$0 $/morceau
IRFR430APBF
IRFR430APBF
$0 $/morceau
STL3NM60N
STL3NM60N
$0 $/morceau
SISHA12ADN-T1-GE3
FQP50N06
FQP50N06
$0 $/morceau

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