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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | N-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | 900 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 6A (Tc) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 10V |
rds activé (max) à id, vgs | 1.1Ohm @ 3A, 10V |
vgs(th) (max) à id | 5V @ 100µA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | - |
vgs (max) | ±30V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | - |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | 110W (Tc) |
température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
type de montage | Through Hole |
package d'appareils du fournisseur | IPAK (TO-251) |
paquet / étui | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
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