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STW50N65DM6

STW50N65DM6

STW50N65DM6

MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3

non conforme

STW50N65DM6 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $9.66000 $9.66
500 $9.5634 $4781.7
1000 $9.4668 $9466.8
1500 $9.3702 $14055.3
2000 $9.2736 $18547.2
2500 $9.177 $22942.5
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 33A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 91mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.75V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 52.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 52500 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 250W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247 Long Leads
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

DMP4050SSS-13
STW34NM60N
STW34NM60N
$0 $/morceau
IRLMS2002TRPBF
AO3400A
SIHP180N60E-GE3
IRFR210TRLPBF
IRFR210TRLPBF
$0 $/morceau
G3R20MT17K
IXTY1R4N120P
IXTY1R4N120P
$0 $/morceau
STI45N10F7
STI45N10F7
$0 $/morceau

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