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STWA75N65DM6

STWA75N65DM6

STWA75N65DM6

N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7

compliant

STWA75N65DM6 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $14.32000 $14.32
500 $14.1768 $7088.4
1000 $14.0336 $14033.6
1500 $13.8904 $20835.6
2000 $13.7472 $27494.4
2500 $13.604 $34010
10 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 75A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 36mOhm @ 37.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.75V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 118 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5700 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 480W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247 Long Leads
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

2N7002A-TP
2N7002A-TP
$0 $/morceau
AONX36372
STU6N60DM2
STU6N60DM2
$0 $/morceau
IXTQ3N150M
IXTQ3N150M
$0 $/morceau
IXTQ60N20T
IXTQ60N20T
$0 $/morceau
2SJ532-E
2SJ532-E
$0 $/morceau
DMN32D0LFB4-7B
IPA083N10NM5SXKSA1

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