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RS1JLHM2G

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DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

RS1JLHM2G Fiche de données

non conforme

RS1JLHM2G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
15,000 $0.04675 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Standard
tension - courant continu inverse (vr) (max) 600 V
courant - moyen redressé (io) 800mA
tension - directe (vf) (max) @ if 1.3 V @ 800 mA
vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 250 ns
courant - fuite inverse @ vr 5 µA @ 600 V
capacité à vr, f 10pF @ 4V, 1MHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui DO-219AB
package d'appareils du fournisseur Sub SMA
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 150°C
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Numéro de pièce associé

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