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TSM048NB06LCR RLG

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TSM048NB06LCR RLG

MOSFET N-CH 60V 16A/107A 8PDFN

compliant

TSM048NB06LCR RLG Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.65520 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 16A (Ta), 107A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 4.8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 105 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 6253 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.1W (Ta), 136W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-PDFN (5x6)
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

SIR680DP-T1-RE3
SQD50N06-09L_GE3
STF15N65M5
STF15N65M5
$0 $/morceau
SI4812BDY-T1-GE3
STP5N60M2
STP5N60M2
$0 $/morceau
SIRS700DP-T1-RE3
FDMC86324
FDMC86324
$0 $/morceau
DMP6110SFDFQ-7
FQA30N40
FQA30N40
$0 $/morceau
IXTQ460P2
IXTQ460P2
$0 $/morceau

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