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TSM110NB04LDCR RLG

TSM110NB04LDCR RLG

TSM110NB04LDCR RLG

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,

non conforme

TSM110NB04LDCR RLG Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.25880 $1.2588
500 $1.246212 $623.106
1000 $1.233624 $1233.624
1500 $1.221036 $1831.554
2000 $1.208448 $2416.896
2500 $1.19586 $2989.65
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 40V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10A (Ta), 48A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 11mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 23nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1269pF @ 20V
puissance - max 2W (Ta), 48W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerTDFN
package d'appareils du fournisseur 8-PDFN (5x6)
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Numéro de pièce associé

SSD2007ATF
DMG6302UDW-13
DMN1029UFDB-13
ZXMN2A04DN8TA
DMN2053UVT-7
BSS138BKSH
BSS138BKSH
$0 $/morceau
SLA5086
SLA5086
$0 $/morceau
BUK7K29-100EX
BUK7K29-100EX
$0 $/morceau
NVTJD4001NT1G
NVTJD4001NT1G
$0 $/morceau
TT8J21TR
TT8J21TR
$0 $/morceau

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