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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | N and P-Channel Complementary |
| fonctionnalité FET | Standard |
| Tension drain-source (vdss) | 60V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 2.5A (Ta), 5A (Tc), 2A (Ta), 4A (Tc) |
| rds activé (max) à id, vgs | 103mOhm @ 2.5A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | 2.5V @ 250µA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 9.4nC @ 10V, 9nC @ 10V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 527pF @ 30V, 436pF @ 30V |
| puissance - max | 1.4W (Ta), 5.7W (Tc) |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| paquet / étui | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
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