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CSD17579Q3A

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CSD17579Q3A

MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON

compliant

CSD17579Q3A Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.23360 -
5,000 $0.21900 -
12,500 $0.21170 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 10.2mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.9V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 998 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.2W (Ta), 29W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-VSONP (3x3.3)
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

AOTF3N80
SPB02N60C3ATMA1
EPC2012C
EPC2012C
$0 $/morceau
IPD220N06L3GATMA1
SPA06N80C3XKSA1
SSP2N60A
IRFR9014TRPBF
IRFR9014TRPBF
$0 $/morceau
IXTA08N100D2HV-TRL
IXTA08N100D2HV-TRL
$0 $/morceau
SIHG24N80AEF-GE3
SIHG180N60E-GE3

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