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CSD85312Q3E

CSD85312Q3E

CSD85312Q3E

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

non conforme

CSD85312Q3E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.38220 -
53400 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual) Common Source
fonctionnalité FET Logic Level Gate, 5V Drive
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 39A
rds activé (max) à id, vgs 12.4mOhm @ 10A, 8V
vgs(th) (max) à id 1.4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 15.2nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2390pF @ 10V
puissance - max 2.5W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerVDFN
package d'appareils du fournisseur 8-VSON (3.3x3.3)
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Numéro de pièce associé

FDMD8630
FDMD8630
$0 $/morceau
PMDPB42UN,115
PMDPB42UN,115
$0 $/morceau
SMA5125
SMA5125
$0 $/morceau
APTM50HM75STG
PMV27UPEA,215
PMV27UPEA,215
$0 $/morceau
FDC6302P
ZXMC3A17DN8TA
EFC6605R-TR
EFC6605R-TR
$0 $/morceau

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