Welcome to ichome.com!
| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | N-Channel |
| technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension drain-source (vdss) | 30 V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 1.9A (Ta) |
| tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 1.8V, 4V |
| rds activé (max) à id, vgs | 133mOhm @ 1A, 4V |
| vgs(th) (max) à id | 1V @ 1mA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 1.9 nC @ 4 V |
| vgs (max) | ±12V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 123 pF @ 15 V |
| fonctionnalité FET | Schottky Diode (Isolated) |
| puissance dissipée (max) | 500mW (Ta) |
| température de fonctionnement | 150°C |
| type de montage | Surface Mount |
| package d'appareils du fournisseur | UFV |
| paquet / étui | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.