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TK14G65W,RQ

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TK14G65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK

non conforme

TK14G65W,RQ Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $1.04400 -
2,000 $1.00800 -
832 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 13.7A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 250mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 690µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1300 pF @ 300 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 130W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D2PAK
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

APT50M75B2LLG
IXTY1R6N50D2-TRL
IXTY1R6N50D2-TRL
$0 $/morceau
NTD80N02-001
NTD80N02-001
$0 $/morceau
NDP7060
NDP7060
$0 $/morceau
STF34N65M5
STF34N65M5
$0 $/morceau
IXTT64N25P
IXTT64N25P
$0 $/morceau
APT34N80LC3G
PMN40SNAX
PMN40SNAX
$0 $/morceau
SPI08N50C3XKSA1

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