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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | N-Channel |
| technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tension drain-source (vdss) | 650 V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 13A (Tc) |
| tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 10V |
| rds activé (max) à id, vgs | 180mOhm @ 8.5A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | 4.8V @ 500µA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 8 nC @ 10 V |
| vgs (max) | ±20V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 598 pF @ 400 V |
| fonctionnalité FET | - |
| puissance dissipée (max) | 52W (Tc) |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| package d'appareils du fournisseur | 2-PQFN (8x8) |
| paquet / étui | 2-PowerTSFN |
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