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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Obsolete |
| type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| fonctionnalité FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tension drain-source (vdss) | 600V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 70A (Tc) |
| rds activé (max) à id, vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| vgs(th) (max) à id | - |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 28nC @ 8V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 2260pF @ 100V |
| puissance - max | 470W |
| température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Through Hole |
| paquet / étui | Module |
| package d'appareils du fournisseur | Module |
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