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UF3C065030B3

UF3C065030B3

UF3C065030B3

UnitedSiC

MOSFET N-CH 650V 65A TO263

non conforme

UF3C065030B3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $19.94000 $19.94
500 $19.7406 $9870.3
1000 $19.5412 $19541.2
1500 $19.3418 $29012.7
2000 $19.1424 $38284.8
2500 $18.943 $47357.5
2419 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie -
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 65A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 12V
rds activé (max) à id, vgs 35mOhm @ 40A, 12V
vgs(th) (max) à id 6V @ 10mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 51 nC @ 15 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1500 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 242W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263 (D2Pak)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IPP80N06S2LH5AKSA2
BUK9Y3R0-40E,115
STFU8N60DM2
STFU8N60DM2
$0 $/morceau
FQT1N80TF-WS
FQT1N80TF-WS
$0 $/morceau
SI7460DP-T1-GE3
DMN3069L-13
DMN3069L-13
$0 $/morceau
DMP6110SSS-13
SQD50N04-5M6_T4GE3
RD3P175SNTL1
RD3P175SNTL1
$0 $/morceau
RRH090P03GZETB

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