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UF3C065030K4S

UF3C065030K4S

UF3C065030K4S

UnitedSiC

MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4

non conforme

UF3C065030K4S Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $20.72000 $20.72
500 $20.5128 $10256.4
1000 $20.3056 $20305.6
1500 $20.0984 $30147.6
2000 $19.8912 $39782.4
2500 $19.684 $49210
1990 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie -
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 85A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 12V
rds activé (max) à id, vgs 35mOhm @ 50A, 12V
vgs(th) (max) à id 6V @ 10mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 43 nC @ 12 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1500 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 441W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247-4
paquet / étui TO-247-4
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Numéro de pièce associé

PJA3416A_R1_00001
SQD50P08-25L_GE3
FCHD125N65S3R0-F155
FCHD125N65S3R0-F155
$0 $/morceau
IPA032N06N3GXKSA1
NVMTSC1D3N08M7TXG
NVMTSC1D3N08M7TXG
$0 $/morceau
IRFPC40
IRFPC40
$0 $/morceau
APT17F100S
APT17F100S
$0 $/morceau
SIHH250N60EF-T1GE3
IPD050N10N5ATMA1
DMN67D8L-7
DMN67D8L-7
$0 $/morceau

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