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1N6483HE3/96

1N6483HE3/96

1N6483HE3/96

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

SOT-23

non conforme

1N6483HE3/96 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
6,000 $0.14062 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Standard
tension - courant continu inverse (vr) (max) 800 V
courant - moyen redressé (io) 1A
tension - directe (vf) (max) @ if 1.1 V @ 1 A
vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) -
courant - fuite inverse @ vr 10 µA @ 800 V
capacité à vr, f 8pF @ 4V, 1MHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui DO-213AB, MELF (Glass)
package d'appareils du fournisseur DO-213AB
température de fonctionnement - jonction -65°C ~ 175°C
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Numéro de pièce associé

CDBER0230L-HF
MUR260G
MUR260G
$0 $/morceau
S3M
S3M
$0 $/morceau
NTE637
NTE637
$0 $/morceau
BYV29FD-600,118
BYV29FD-600,118
$0 $/morceau
UF5404
UF5404
$0 $/morceau

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