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BYM10-800HE3/97

BYM10-800HE3/97

BYM10-800HE3/97

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

non conforme

BYM10-800HE3/97 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
10,000 $0.13843 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Standard
tension - courant continu inverse (vr) (max) 800 V
courant - moyen redressé (io) 1A
tension - directe (vf) (max) @ if 1.2 V @ 1 A
vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) -
courant - fuite inverse @ vr 10 µA @ 800 V
capacité à vr, f 8pF @ 4V, 1MHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui DO-213AB, MELF (Glass)
package d'appareils du fournisseur DO-213AB
température de fonctionnement - jonction -65°C ~ 175°C
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Numéro de pièce associé

S2G-13-F
S2G-13-F
$0 $/morceau
STPS2L60ZFY
STPS2L60ZFY
$0 $/morceau
CDBMT1150-HF
CDBMT1150-HF
$0 $/morceau
PMEG4050EP-QX
PMEG4050EP-QX
$0 $/morceau
STTH2L06U
STTH2L06U
$0 $/morceau
G3S12010H
JANTXV1N4148UR-1/TR
RBR1L60ATE25
RBR1L60ATE25
$0 $/morceau
RGP10M
RGP10M
$0 $/morceau

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