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BYM11-1000HE3_A/I

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BYM11-1000HE3_A/I

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

non conforme

BYM11-1000HE3_A/I Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
10,000 $0.12035 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Standard
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1000 V
courant - moyen redressé (io) 1A
tension - directe (vf) (max) @ if 1.3 V @ 1 A
vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 500 ns
courant - fuite inverse @ vr 5 µA @ 1000 V
capacité à vr, f 15pF @ 4V, 1MHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui DO-213AB, MELF (Glass)
package d'appareils du fournisseur DO-213AB
température de fonctionnement - jonction -65°C ~ 175°C
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Numéro de pièce associé

SURS8360T3
SURS8360T3
$0 $/morceau
1N3671
1N3671
$0 $/morceau
1N5420US
1N5420US
$0 $/morceau
1N4007-AP
1N4007-AP
$0 $/morceau
30FQ040
30FQ040
$0 $/morceau
1N649/TR
1N649/TR
$0 $/morceau
JANTX1N485B/TR
EU02V0
EU02V0
$0 $/morceau

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