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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
distance de détection | 3.1mm |
méthode de détection | Through-Beam |
configuration de sortie | Phototransistor |
courant - courant continu direct (si) (max) | 60 mA |
courant - collecteur (ic) (max) | 4 mA |
tension - claquage collecteur-émetteur (max) | 70 V |
temps de réponse | 10µs, 8µs |
température de fonctionnement | -55°C ~ 85°C |
type de montage | Through Hole |
paquet / étui | Slotted Module, 4-Lead Dual Row |
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