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IRFBG30PBF-BE3

IRFBG30PBF-BE3

IRFBG30PBF-BE3

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB

SOT-23

non conforme

IRFBG30PBF-BE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.68000 $2.68
500 $2.6532 $1326.6
1000 $2.6264 $2626.4
1500 $2.5996 $3899.4
2000 $2.5728 $5145.6
2500 $2.546 $6365
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 1000 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.1A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 5Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 980 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 125W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220AB
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

BS170FTA
BS170FTA
$0 $/morceau
BSC079N03SG
RM15P60LD
RM15P60LD
$0 $/morceau
NVMFS6H818NWFT1G
NVMFS6H818NWFT1G
$0 $/morceau
R6046ANZ1C9
R6046ANZ1C9
$0 $/morceau
SQD50P04-09L_GE3
IPP60R090CFD7XKSA1
IXFA18N60X
IXFA18N60X
$0 $/morceau

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