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IRFI830G

IRFI830G

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MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3

IRFI830G Fiche de données

non conforme

IRFI830G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $3.48040 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.1A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.5Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 610 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 35W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220-3
paquet / étui TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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Numéro de pièce associé

NVD6414ANT4G
NVD6414ANT4G
$0 $/morceau
SI7388DP-T1-GE3
STF22NM60ND
STF22NM60ND
$0 $/morceau
STF11N52K3
STF11N52K3
$0 $/morceau
IRFD010
IRFD010
$0 $/morceau
STSJ100NH3LL
STSJ100NH3LL
$0 $/morceau
APT130SM70J
IRFPS35N50LPBF
IRFPS35N50LPBF
$0 $/morceau
IRF540ZSTRRPBF

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