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IRLD110PBF

IRLD110PBF

IRLD110PBF

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

compliant

IRLD110PBF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.07000 $1.07
10 $0.95100 $9.51
100 $0.75160 $75.16
500 $0.58290 $291.45
1,000 $0.46019 -
2,500 $0.42951 -
5,000 $0.40803 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4V, 5V
rds activé (max) à id, vgs 540mOhm @ 600mA, 5V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 6.1 nC @ 5 V
vgs (max) ±10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 250 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.3W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur 4-HVMDIP
paquet / étui 4-DIP (0.300", 7.62mm)
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Numéro de pièce associé

BUK7226-75A118
BUK7226-75A118
$0 $/morceau
FDP7042L
IXTA200N055T2
IXTA200N055T2
$0 $/morceau
APT8052BFLLG
IXTH24N50L
IXTH24N50L
$0 $/morceau
STP28N65M2
STP28N65M2
$0 $/morceau
AON6262E
FDP18N50
FDP18N50
$0 $/morceau
IXTQ44P15T
IXTQ44P15T
$0 $/morceau

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